Полупроводниковые приборы
Биполярный транзистор
описывается предложением
Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>
+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Агеа>]
Модели биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)}
.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)}
.MODEL <имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]
Статически индуцированный
биполярный транзистор описывается предложением
Zxxx <узел коллектора>
<узел затвора> <узел эмиттера> + <имя модели> [АRЕА=<значение>]
[WB-<значение>] + [АGD=<значение>] [КР=<значение>] [ТАU=<значение>]
Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7]
. Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NIGBT [(параметры модели)]
Полевой
транзистор с управляющим p-n-переходом описывается предложением
Зххх<узел
стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент
кратности Агеа>]
Модели полевых транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)]
.MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]
Арсенид-галлиевый
полевой транзистор с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается
предложением
Еххх <узел стока><узел затеораХузел истока> <имя модели>
+ [<коэффициент кратности Агеа>]
Модель арсенид-галлиевого
полевого транзистора задается в виде .MODEL <имя модели> GASFET
[(параметры модели)] МОП-транзистор описывается предложением
Mxxx <узел стокаХузел затеораХузел истока> <узел подложки> + <имя
модели>
+ [L=<значение>] [W=<значение>] [АD=<значение>] [АS=<значение>]
+ [PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>] [NRS=<значение>]
+ [NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [М=<значение>]
Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.
Параметры L и W могут быть
заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры
L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS
(см. разд. 4.1).
Модели МОП-транзисторов задаются в виде
.MODEL <имя модели> NMOS[(параметры модели)]
.MODEL <имя модели>
РMOS[(параметры модели)]
Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора
| Обозначение |
Параметр |
Значение по умолчанию |
Размерность | ||
| L |
Длина канала |
DEFL |
м | ||
| W |
Ширина канала |
DEFW |
м | ||
| AD |
Площадь диффузионной области стока |
DEFAD |
м | ||
| AS |
Площадь диффузионной области истока |
DEFAS |
м | ||
| PD |
Периметр диффузионной области стока |
0 |
м | ||
| PS |
Периметр диффузионной области истока |
0 |
м | ||
| NRD |
Удельное относительное сопротивление стока |
1 |
- | ||
| NRS |
Удельное относительное сопротивление истока |
1 |
- | ||
| Обозначение
|
Параметр |
Значение по умолчанию |
Размерность | ||
| NRG |
Удельное относительное сопротивление затвора |
0 |
- | ||
| NRB |
Удельное относительное сопротивление подложки |
0 |
- | ||
| M |
Масштабный коэффициент |
1 |
- | ||
Словарь основных терминов
IBIS
(I/O Buffer Information Specification) — стандарт описания входных/выходных комплексных
сопротивлений компонентов, используемый при моделировании паразитных эффектов
ПП
ICA — Internet Component Assistant — служба поиска компонентов в среде Интернет
IEEE symbol — изображение символа функционального блока в стандарте Института
инженеров по электротехнике и электронике (Institute of Electrical and Electronics
Engineers, IEEE)
Inherent property — обязательный параметр объекта определенного типа (не может
быть удален, имеет атрибут R — только для чтения)
Instance — конкретный экземпляр
из набора объектов определенного класса Будем моделировать четырехпроводную трехфазную
цепь при соединении обмоток генератора и фазных
нагрузок приемника в звезду.
Interactive routing — трассировка, при которой индивидуальные соединения проводятся
вручную при постоянном контроле за соблюдением правил проектирования DRC
Isolation — зазор между контактными площадками, переходными отверстиями, трассами проводников или областями металлизации и другими цепями сигналов
| |